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半导体分立器件测试解决方案

光电二极管PD测试方案

光电二极管(Photo-Diode)是由一个PN结组成的半导体器件,具有单方向导电特性。光电二极管是在反向电压作用之下工作的,在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。


光电二极管PD测试要求

测试基本连线图如下:

20220416161319_5174.png


主要测试指标

光灵敏度(S,Photosensitivity)

光谱响应范围(Spectral response range)

短路电流(Isc,Short circuit current)

暗电流(ID,dark current)

暗电流温度系数(Tcid,Temp. coefficient of ID)

分流电阻(Rsh, Shunt resistance)

噪声等效功率(NEP,noise equivalent power)

上升时间(tr,Rise time)

终端电容(Ct)& 结电容(Cj)

……


光电二极管PD测试所需仪表

S系列台式源表/CS系列插卡式源表;

示波器;

LCR表;

温度箱;

样品探针台或者定制夹具;

IV测试分析软件;


典型测试指标

20220416161453_8309.png


选型依据

电压量程及精度;

电流量程及精度;

采样速率高;

IV测试分析软件功能;


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